流可是双极ttl，”
    李飞压住心中怒气，平和道：“现在芯片工艺主流是s…，”
    没等李飞把话说完，对方打断了，并轻蔑地说：“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你说不清，简单
    地说，你的f芯片采用os工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”
    李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，
    同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，
    但为了f芯片早点量产，早点让f芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，os工艺流程大概是这样的：
    先是准备n型硅片，用以制造nos和os晶体管。注：os工艺是在os和nos工艺基础上发展起来的
    再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度如约06微米的二氧化硅层，作为制造型区的掩蔽层。随后光刻型区。
    接着，光刻出nos晶体管的阱区和os晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
    在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nos晶体管的阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间如2

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