0分钟，该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
    如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nos晶体管的源、漏区；
    在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间如20分钟，该二氧化硅层用以制造nos和os栅氧化区的的掩蔽层；
    光刻出nos和os晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层如500纳米制程，”