度以外，普遍采用的就是多层图案技术，其中又以林晶圆的看家秘籍，LELE技术为主流。
    除了多层图案技术，还有几个发展方向，多层封装技术就是其中之一。
    提高芯片的集成度，本质上来说，就是提高单位面积上晶体管数目的过程。
    LELE技术，把一个图层分批加工刻蚀，达到图案增密的效果。
    多层封装，干脆就是把多层芯片摞在一起。
    这多简单。
    （在中芯国际发生的，梁孟松辞职案，梁孟松与蒋尚义之间的分歧，就是LELE技术与多层封装路线之争。）
    多层芯片技术成熟后，在内存，Flash闪存等领域得到了普及。因为这些芯片的图案，各层之间是一致的。
    于是内存芯片的层数，就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数，高达256层了。
    在3D封装技术的加持下，内存芯片上的有效晶体管密度，算起来，早就低于1纳米了，甚至低于0.1纳米！
    林晶圆的多层封装技术，经过近两年的探索，即将进入实用阶段。
    多层封装中最困难的步骤，就是层间打孔技术。
    这个技术一突破，剩下的就没有什么了。
    在3D封装技术的加持下，林晶圆的内存产品，即将面世。
    张百华团队，将被独立出来，成立内存事业部，将来甚至会被分拆。
    虽然Flash闪存市场还没有成气候，但仅仅是RAM内

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