比自己高的墙，这个电流的大小和绝缘层的厚度，以及绝缘层的‘势垒高度’成负相关。因此厚度越小，势垒越低，漏电流越大，对晶体管越不利。另一方面，晶体管的开关性能、工作电流等都需要有一个很大的绝缘层电容。”
    “可以看出，这里已经出现了一堆设计目标上的矛盾，绝缘层的厚度要不要继续缩小，实际上在这个节点之前，二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度，也就是十几个原子层的厚度，漏电流的问题已经取代了性能问题成为了头号大敌。”
    说到这里，会议室里一众学者都安静了下来。
    坐在这里的都是最聪明的那批人类，有问题当然开始想办法。
    人类是很贪心的，既不愿意放弃大电容的性能增强，也不愿意冒漏电的风险。
    现在的情况是，需要一种材料，需要介电常数很高，同时能带势垒也很高，如此一来就可以在厚度不缩小的情况下，继续提升电容。
    换句话说就是保护漏电流，又能提高开关性能这样的材料。
    在学术界，近些年陆续提出了各种脑洞大开的新设计，比如隧穿晶体管、负电容效应晶体管、碳纳米管等等。
    但其实所有这些设计，基本上就四个方向，材料、机理、工艺和结构。
    这时，徐至军瞄了眼罗晟然后环顾众人发言道：“石墨烯晶体管呢？石墨烯作沟道的思路是第二项，就是运输，因为石墨烯的电子迁移率远远高于硅。”
    此话一出，一位学者摇头说道

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