“X射线高敏胶?社长是想研发光刻胶吧！”马知力一听便知道黄明哲的打算。
    黄明哲点了点头：“没有错，就是X射线级别的光刻胶，我提几个要求，波长最好在3～8纳米之间；X射线敏感度要足够高，最好可以在几秒钟之内彻底溶解；另外对于X射线的能量级别，最好不需要高能级就可以实现快速光分解。”
    “社长，如果我们研发X射线光刻胶，这个可是没有客户的。”马知力提醒道。
    目前市面上的光刻机的光源，一般分为紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、极紫外光（EUV），其中最先进的光刻机，就是尼德兰的阿斯麦公司生产的极紫外光（EUV），波长为13.4纳米。
    但是其实在上个世纪八十年代，光刻机行业之中，还有除了极紫外光（EUV）路线，还存在着另一个路线——X射线光刻机。
    为什么波长在10纳米以下的X射线光刻机，最后被极紫外光（EUV）淘汰?
    原因有两个，一是效率问题，X射线照射下光刻胶的光刻速度比较慢；二是精确度问题，为什么说波长10纳米以下的X射线，光刻精度差?因为掩模做不到10纳米以下。
    掩模就是电路图的母板，为什么极紫外光（EUV）的精度高，原因在于紫外光可以使用凸透镜缩小从掩模过来的光线，而所有人都知道X射线的穿透力非常强，凸透镜根本无法聚焦。
    所以X射线光刻机被淘汰了。
    市面上没有X射线

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