1975年，倭国人提出了以通产省为中心的“下世代电子计算机用VLSI研究开发计划”构想，设立了官方与民间共同参与的“超大规模集成电路（VLSI）研究开发政策委员会”。
    1976年3月，经通产省、大藏省等多次协商，倭国政府启动了“DRAM制法革新”国家项目。由政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（以当时汇率计算约2.36亿美金）为基金，由倭国电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——VLSI技术研究所。
    这可以说是一次倭国版本的“举国体制”会战。
    这次会战充分发挥出了这种“举国体制”的优势，倭国的官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，VLSI研究所组织多个实验室通力合作，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高DRAM量产成功率。
    到1980年，倭国人宣布完成了“DRAM制法革新国家项目”。期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果，为赢得第一次倭米半导体战争打下了坚实的产业和科研基础。
    在这次“会战”之前，倭国虽然可以生

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